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描述：霍爾效應測試系統 半導體材料測量儀技術指標：* 磁 場：大于 5000 高斯（間距 18mm）* 樣品電流：±50 納安~±50 毫安（小可調節電流為 0.1nA）* 測量電壓：0...

描述：變溫霍爾測量系統組成：本儀器系統由永磁體、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高精度高斯計和系統軟件組成。為本儀器系統專門研制的 JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜...

描述：教學霍爾測試儀 半導體材料電學測量技術指標：磁 場：10mm 間距為 2T 30mm 間距為 1T * 樣品電流：0.05uA~50mA（調節 0.1nA） * 測量電壓：0.1uV~30V * ...

描述：霍爾效應測試系統 高低溫磁場型實驗儀器*精度電磁鐵極頭直徑 100mmN，S 間距 10mm 時大磁場 20000GsN，S 間距 20mm 時大 13000 高斯N, S 間距 30mm 時大磁場 ...

描述：霍爾效應測試系統低溫型測量儀JH60D產品概述： 本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、*精度恒流源*精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統軟件。為本儀器系統專門研制的 JH10效應儀將...

描述：定制磁控線圈 二維亥姆霍茲線圈技術指標：磁場方向X軸、Z軸相互正交，X軸水平磁場可旋轉，X軸高磁場強度240Gs，Z軸高磁場240Gs。小平均直徑220mm，均勻區球體Φ30mm，均勻度0.1...